Полупроводники.Электронно-дырочный переход.

Слайд 1

Слайд 2

Полупроводники

Слайд 3

Полупроводниками обычно называют материалы, удельное сопротивление которых больше, чем у проводников (металлов), но меньше, чем у изоляторов (диэлектриков). Полупроводники являются разновидностью диэлектриков, можно сказать, что они являются диэлектриками с уменьшенным удельным сопротивлением, тогда как с металлами у них значительно меньше общего.

Слайд 4

Монокристаллический кремний – полупроводниковый материал, наиболее широко использующийся в промышленности в наше время.

Слайд 5

Структура полупроводника У диэлектриков ширина запрещенной зоны больше, чем у полупроводников, а у металлов разрешенные зоны сливаются, так что запрещенной зоны у них нет. Ширина запрещенной зоны ε з является важнейшим параметром полупроводника.

Слайд 6

Типы полупроводников Чистые Примесные ( n- типа и p- типа)

Слайд 7

Примесные полупроводники Полупроводник n- типа Донорами принято называть атомы пятивалентной смеси. Примесные полупроводники, полученные за счет введения доноров, называются электронными, или полупроводниками n-типа. Их электропроводность определяется свободными электронами, которые здесь являются основными носителями заряда. Дырки в полупроводнике n-типа являются неосновными носителями заряда.

Слайд 8

Примесные полупроводники Полупроводник p- типа Атомы трехвалентной примеси принято называть акцепторами. Примесные полупроводники, полученные за счет введения акцепторов, называются дырочными, или полупроводниками p -типа. Их электропроводность определяется дырками, причем их число практически равно числу ионизированных акцепторов.

Слайд 9

Транзистор Транзистор — полупроводниковое устройство, которое состоит из двух областей p-n перехода. Область кристалла между двумя переходами называют базой, а внешние области называют эмиттером и коллектором.

Слайд 10

Электронно-дырочный переход

Слайд 11

Вольт-амперная характеристика p-n перехода В общем виде вольт-амперная характеристика (ВАХ) р-n перехода представляется экспоненциальной зависимостью I = I 0 ( exp U /  Т - 1) где I 0 – обратный ток, exp U – экспонента напряжения,  Т – потенциал.

Слайд 12

Пробой p-n перехода Как известно, при рабочих величинах обратных напряжений I 0 невелик. Однако при превышении определенного уровня U обратный ток реального р - n перехода быстро увеличивается, т. е. наступает явление резкого увеличения обратного тока при достижении обратным напряжением определенного критического значения, называемое пробоем.

Слайд 13

Обратный ток p-n перехода При обратном смещении р - n перехода в нем протекает лишь небольшой ток, называемый обратным ( I 0 ). Электроны и дырки, возникающие в структуре, будут сортироваться электрическим полем: электроны будут устремляться в n -область, а дырки - в p -область.

Слайд 14

Спасибо за внимание! Над проектом работали: Алехина Тамара Кавешникова Вероника