РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ Электронные приборы по специальности 200401 «Биотехнические и медицинские аппараты и системы»
рабочая программа на тему

Министерство образования Российской Федерации

Федеральное агентство по образованию

РАБОЧАЯ ПРОГРАММА УЧЕБНОЙ ДИСЦИПЛИНЫ

Электронные приборы

по специальности

200401 « Биотехнические и медицинские аппараты и системы ».

среднего профессионального образования

(базовый уровень)

 Рег.№ 200401/4-1-2010

Королёв, 2010

 Кирьянов С.А. : «Электронные приборы», Королёв, 2008, 27 листов

Программа составлена в соответствии с Государственными требованиями к минимуму содержания и уровню подготовки выпускников по специальности 200401 "Биотехнические и медицинские аппараты и системы ».

 среднего профессионального образования.

          «Одобрена»

цикловой комиссией 210310

Председатель комиссии

Протокол №1 от «___»__________2008 года

___________ А.Д. Лубенко

«___» ___________2008г.

          Начальник научно-методического центра                        Васильева О.В.

          Заместитель директора по учебной работе                       Вишневский Н.З.

Содержание

Лист

1. Пояснительная записка                                                                              4

2. Примерный тематический план                                                               6
3. Содержание дисциплины                                                                         8
4. Перечень лабораторных работ                                                               17
5. Перечень лабораторного оборудования                                                18
6. Вопросы для получения зачета                                                              20
7. Примерный перечень контрольных работ                                            21
8. Перечень экзаменационных вопросов                                                   22
9. Перечень самостоятельных работ                                                          26
10. Литература                                                                                                27

ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Рабочая программа дисциплины « Электронные приборы » предусматривает изучение студентами радиоэлектронных полупроводниковых и электронных приборов используемых в производстве радиоэлектронной аппаратуры. Изучение дисциплины базируется на знании студентами математики, физики, химии, теоретических основ электротехники, радиоматериалов и радиокомпонентов, основ радиотехники.

При изложении учебного материала необходимо обосновывать требования, предъявляемые к полупроводниковым, электровакуумным приборам и полупроводниковым микросхемам, применяемых в радиоэлектронных устройствах.

Для закрепления студентами теоретических знаний и получения ими практических навыков при изучении предмета проводятся лабораторные работы. Преподавание дисциплины сопровождается демонстрацией полупроводниковых электровакуумных приборов и полупроводниковых микросхем, плакатов, учебных фильмов, стендов и применением других технических и аудиовизуальных средств обучения.

        В результате освоения программы студент должен:

иметь представление:

        -о взаимодействии дисциплины « Электронные приборы » с другими общепрофессиональными и специальными дисциплинами.

        -о перспективах создания новых полупроводниковых приборов и микросхем.

        -о классификации полупроводниковых, электровакуумных приборов и полупроводниковых микросхем.

        -о требованиях к полупроводниковым и электровакуумным приборам для обеспечения их необходимых параметров.

         -о нормативно-технической документации на полупроводниковые и электровакуумные приборы, применяемые в радиоэлектронике.

знать:

        -принцип работы, основные характеристики и параметры полупроводниковых, электровакуумных и микроэлектронных приборов, разновидности полупроводниковых и электровакуумных приборов и полупроводниковые микросхемы, выпускаемых отечественной промышленностью.

уметь: 

        -выбирать полупроводниковые и электровакуумные приборы с необходимыми свойствами, параметрами и характеристиками.

Программа дисциплины « Электронные приборы » является основной для разработки преподавателем календарного плана по одноименной специальности.

Распределение учебных часов по темам программы носит рекомендательный характер. Цикловой комиссии разрешается изменять количество часов, отведенных на изучение отдельных тем дисциплины, при сохранении общего количества часов. В целях оперативного отражения достижений научно-технического прогресса разрешается корректировать программу в пределах 15% от общего объема учебного времени, отводимого на дисциплину.

Все изменения должны быть отражены в календарном плане, который рассматривается цикловой комиссией и утверждается заместителем директора колледжа по учебной работе

Рецензент                                                                  ______________________    

                                                                                                    (Ф.И.О.)

ПРИМЕРНЫЙ ТЕМАТИЧЕСКИЙ ПЛАН

СОДЕРЖАНИЕ ДИСЦИПЛИНЫ

ВВЕДЕНИЕ

         Цели, задачи и содержание дисциплины, её связь с другими общепрофессиональными и специальными дисциплинами. Общие сведения о полупроводниковых приборах. Классификация полупроводниковых приборов, применяемых в производстве радиоэлектронных устройств. Понятие о свойствах и параметрах полупроводниковых приборов. Нормативно-техническая документация на полупроводниковые приборы.

Студент должен знать о целях и задачах дисциплины и связи её с другими дисциплинами, классификации полупроводниковых приборов, принципе их работы, свойствах и параметрах полупроводниковых приборов,         требованиях, предъявляемых к материалам для обеспечения необходимых параметров, о применении полупроводниковых приборов в радиотехнике. 

        Раздел I ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ

        Тема 1.1. Основные сведения о полупроводниковых приборах.

Студент должен знать сведения о полупроводниковых приборах.

Студент должен уметь работать со справочной литературой полупроводниковых приборов.

Общие сведения о полупроводниковых приборах. Краткие сведения развития элементной базы радиоэлектронной средств (РЭС). Современные достижения электроники в России и за рубежом, перспективы развития.

        Тема 1.2. Физические основы полупроводниковых приборов.

Студент  должен знать основные положения зонной теории, собственные, примесные полупроводники, токи протекающие в полупроводниках, образование p-n перехода ВАХ p-n перехода, виды пробоев.

Студент должен уметь  определять значения параметров полупроводниковых диодов.

Строение атома. Энергетические уровни и зоны. Основные положения зонной теории. Металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории. Движение зарядов в электрическом поле.

        Особенности структуры кристаллической решетки полупроводника, её дефекты: дефекты по Френкелю и по Шоттки, примесные дефекты, дислокация, их влияние на свойства полупроводников. Поверхностные состояния. Собственный полупроводник, генерация и регенерация собственных зарядов, их концентрация. Время жизни зарядов. Подвижность зарядов. Примесной полупроводник. Донорные, акцепторные и ловушечные примеси, их влияние на зонные диаграммы. Уровень Ферми. Основные и неосновные носители зарядов, их концентрация и время жизни. Вырожденный полупроводник. Скомпенсированный полупроводник. Движение зарядов в полупроводнике. Дрейфовый ток: длина свободного пробега, подвижность носителей скорость дрейфа, влияние температуры и напряженности электрического поля. Диффузионный ток; понятие диффузии, коэффициенты диффузии. Контактные явления в полупроводниках. Контакт полупроводник-полупроводник: образование р-n перехода, его равновесное состояние, прямое и обратное включение, понятие инжекции и экстракции зарядов. Вольт-амперная характеристика р-n перехода, влияние на нее среды. Виды пробоев, их особенности. Барьерная и диффузионная емкости. Особенности гетеропереходов. Контакт металл-полупроводник. Способы получения выпрямляющего контакта с барьером Шоттки, его особенность, невыпрямляющий (омический) контакт. Граница полупроводник-диэлектрик.

Лабораторная работа 1. Исследование емкости р-n перехода варикапа.

Тема 1.3.Полупроводниковые диоды.

Студент должен знать виды полупроводниковых приборов, классификацию, обозначение в схемах, маркировку, конструкцию.

Студент должен уметь определять параметры полупроводниковых диодов.

Виды полупроводниковых приборов, их классификация. Обозначения в схемах. Система маркировки. Типы конструкций р-n переходов: плосткостная и точечная, их особенности.

Выпрямительные (низкочастотные) и детекторные (высокочастотные) диоды: применение, основные свойства, особенности конструкции , материал маркировка, характеристики, параметры, пример работы в схеме.

Кремниевый стабилитрон (опорный диод): основное свойство, применение, конструкция, материал, обозначение, маркировка, характеристика, параметры, пример работы в схеме. Стабистор.

Туннельный диод: туннельный пробой р-n перехода, вольт-амперная характеристика, параметры, обозначение в схеме, маркировка, применение, пример работы в схеме. Обращенный диод. Варикап (параметрический диод): основное свойство, характеристика, параметры, применение, пример работы в схеме.

Импульсный диод: особенности прохождения импульсного сигнала через р-n переход, параметры.

Диод Ганна: эффект Ганна, способы его использования, вольт-амперная характеристика, применение.

Лавинно-пролетный диод: особенности физических процессов, условия получения отрицательного сопротивления, применение, новые типы диодов.

            Лабораторная работа 2. Исследование выпрямительного диода.

        Лабораторная работа 3. Исследование стабилитрона.

        Лабораторная работа 4. Исследование туннельного диода

        Тема 1.4. Биполярные транзисторы

Студент должен знать  устройство, обозначение, маркировку, способы переключения p-n переходов, режимы работы, схемы включения транзисторов.

Студент должен уметь  определять параметры, строить графики, рассчитывать коэффициенты усиления биполярных транзисторов.

     Общие сведения о биполярном транзисторе: устройство, обозначение, маркировка, способы переключения р-n переходов и создаваемые им режимы: активный, инверсный, отсечки ,насыщения. Принцип работы в активном режиме для р-n-р и n-р-n транзисторов: напряжения, потенциальные диаграммы, токи.

    Схемы включения транзистора. Транзистор с общей базой (ОС) в статическом режиме: напряжения, токи, коэффициент передачи эмиттерного тока α;на управляемый ток коллектора Iк 0 уравнение  выходного тока. Статические характеристики. Транзистор с общим эмиттером (ОЭ) и с общим коллектором (ОК) в статическом режиме: напряжения, токи, коэффициенты передачи входного тока (β, Υ ) уравнения выходного тока. Статические характеристики. Транзистор, как активный четырехполюсник, системы Ζ, Υ, h- параметров. Методика определения этих параметров по статистическим характеристикам. Схемы замещения транзистора в различных схемах включения, их внутренние параметры и связь их с параметрами Ζ, Υ, h. Динамический режим работы транзистора: схема включения, уравнение напряжений, временные диаграммы, принцип работы. Динамические нагрузочные характеристики, методика их построения, графо-аналитический метод определения по ним параметров выходного сигнала. Динамические параметры. Влияние изменения условий окружающей среды(температура) на работу транзистора. Принцип термостабилизации. Частотные свойства транзистора, частотные параметры. Собственные шумы транзистора. Предельные режимы работы транзистора. Сравнительный анализ работы транзистора в активном режиме в различных схемах включения: с ОБ, ОЭ, ОК.

Ключевой режим транзистора: получения режима отсечки и режима насыщения, сопротивления, токи, напряжения и параметры транзистора в этих режимах. Влияние инерционности транзистора и переходных процессов в нем на скорость переключения. Достоинства и недостатки ключей на транзисторах с ОБ, ОЭ, ОК. Инверсный режим транзистора: особенности характеристик и параметров, применение. Основные виды технологии изготовления и конструкций транзисторов: сплавных диффузионных, меза-транзисторов, планарных, их особенности. Новые виды транзисторов.

Лабораторная работа 5. Исследование транзистора в схеме с общей базой.

Лабораторная работа 6. Исследование транзистора в схеме с общим эмиттером.

Лабораторная работа 7. Исследование частотных свойств транзисторов

Лабораторная работа 8. Исследование усилительных свойств транзистора.

        Тема 1.5.Полевые (униполярные) транзисторы.

Студент должен знать  устройство, обозначение в схеме, принцип работы полевых транзисторов.

Студент должен уметь  определять параметры, строить графики, рассчитывать коэффициенты усиления полевых транзисторов.

       Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом: устройство, обозначение в схеме, принцип работы. Характеристики, параметры. Разновидности. Особенности по сравнению с биополярными транзисторами. Обозначение в схеме, маркировка. Полевые транзисторы с изолированным затвором (МДП, МОП-транзисторы): способы получения каналов, принцип работы. Особенности характеристик. Достоинства и недостатки полевых транзисторов. Их особенности по сравнению с биполярными. МДП – транзисторы со встроенным или индуцированным каналом типа «n» или типа «р», особенности характеристик и параметров. Двухзатворный полевой транзистор.

Лабораторная работа 9. Исследование полевого транзистора с р-n переходом.

Лабораторная работа 10.Исследование полевого транзистора с изолированным затвором.

Лабораторная работа 11. Исследование двухзатворного транзистора.

        Тема 1.6.Однопереходные, лавинные транзисторы.

Студент должен знать  принцип действия, обозначение в схеме, маркировку однопереходных и лавинных транзисторов.

Студент должен уметь  определять параметры, строить графики однопереходных и лавинных транзисторов.

      Однопереходные транзисторы: структура, принцип действия, характеристика, параметры, обозначение в схеме, маркировка. Пример использования в схеме.

       Лавинные транзисторы: структура, принцип действия, характеристика, параметры, обозначения в схеме, маркировка. Пример использования в схеме.

Лабораторная работа 12. Исследование однопереходного транзистора.

        Тема 1.7. Тиристоры

Студент должен знать  принцип действия, обозначение в схеме, маркировку тиристоров.

Студент должен уметь  определять параметры, строить графики тиристоров.

       Динистор: структура, принцип действия, характеристика, параметры, обозначения в схеме, маркировка. Пример использования в схеме. Тринистор (управляемый тиристор): особенности работы и характеристики, обозначения в схеме, маркировка. Пример использования в схеме тиристоров.

        Лабораторная работа 13. Исследование тиристора.

        Тема 1.8. Фотоприборы.

Студент должен знать  принцип действия, обозначение в схеме, маркировку фотоприборов.

Студент должен уметь определять параметры, строить графики фотоприборов.

       Оптические свойства полупроводников: поглощение света, фоторезистивный эффект. ЭДС Дембера, люминисценция.

       Фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы : принцип работы, характеристики, параметры, обозначения в схемах. Пример использования в схеме фотоприборов.

        Лабораторная работа 14. Исследование фотоприборов.

        Тема 1.9. Светодиоды.

Студент должен знать  принцип действия, обозначение в схеме, маркировку светодиодов.

Студент должен уметь  определять параметры, строить графики светодиодов.

        Общие сведения о светодиодах. Оптическое излучение, когерентность, поляризация волн, поляризация света. Принцип действия источников светового излучения. Особенности работы, устройства, маркировка, характеристики, параметры, применение, пример работы в схеме.

        Лабораторная работа 15. Исследование светодиодов.

        Тема 1.10. Оптоэлектронные приборы.

Студент должен знать принцип действия, обозначение в схеме, маркировку оптронов.

Студент должен уметь определять параметры, строить графики оптронов.

         Общие сведения об оптоэлектронных приборах, достоинства, недостатки. Резисторные, диодные, транзисторные, тиристорные и другие виды оптоэлектронных приборов. Принцип действия, устройство, маркировка, применение.

        Лабораторная работа 16. Исследование оптронов.

        Раздел II ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЛАЗЕРЫ.

        Тема 2.1.Полупроводниковые лазеры.

Студент должен знать  основные типы, принцип работы лазера,        свойства лазерного излучения.

Студент должен уметь  работать со справочной литературой,         определять параметры полупроводниковых лазеров.

        Принцип работы лазера. Свойства лазерного излучения. Основные типы полупроводниковых лазеров. Область         применения полупроводниковых лазеров.

Раздел III ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ

ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОСХЕМ.

        Тема 3.1. Полупроводниковые элементы интегральных микросхем (ИМС).

   Студент должен знать физические процессы в элементах интегральных  микросхем,         основные свойства, виды и основные параметры полупроводниковых микросхем.

   Студент должен уметь выбирать из справочной литературы полупроводниковые микросхемы,  экспериментально определять параметры интегральных диодов.

       Общая характеристика полупроводниковых ИМС, биполярные структуры ИМС. Методы изоляции элементов; изоляция р-n переходом, изоляция диэлектриком, комбинированные способы изоляции.

      Транзистор n-р-n типа; его структура и топология, этапы изготовления, эквивалентная схема, особенности характеристик и параметров. Разновидности транзистора n-р-n:

многоэмиттерный, многоколлекторный, элемент инжекционной логики, транзистор с барьером Шоттки: структура, технология, схемные модели, основные показатели.

       Транзисторы р-n-р типа. Интегральные диоды. Варианты диодного включения транзистора, особенности их характеристик и параметров.

      Интегральные стабилитроны. Диоды Шоттки. Полевой транзистор с управляющим р-n переходом: структура, топология.

ИМС на КМОП и КМДП – транзисторах, и их особенности. Полупроводниковые резисторы: диффузионные, ионно-легированные, МДП- резисторы. Структура, топология, значение сопротивлений, особенности.

Полупроводниковые конденсаторы: диффузионные, МОП-конденсаторы. Структура, топология, параметры, особенности.

        Лабораторная работа 17. Исследование интегрального диода.

        Раздел IV БУКВЕННО-ЦИФРОВЫЕ ИНДИКАТОРЫ.

        Тема 4.1. Буквенно-цифровые индикаторы.

Студент должен знать устройство, применение буквенно-цифровых полупроводниковых индикаторов.

Студент должен уметь  выбирать из справочной литературы буквенно-цифровые индикаторы.

Устройство, сборка индикаторов, разновидности, основные параметры, применение. Одноразрядные, многоразрядные индикаторы. Модификации буквенно-цифровых индикаторов.

Раздел V. ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЕ ПРИБОРЫ

             Тема 5.1. Общие сведения.

Студент должен знать устройство и принцип работы, виды и основные параметры вакуумных приборов.

Студент должен уметь выбирать из справочной литературы вакуумные приборы и определять их параметры.

       Классификация вакуумных электронных приборов, их достоинства и недостатки по сравнению с полупроводниковыми приборами. Устройство электронной лампы, назначение

электродов. Обозначения, маркировка, применение. Виды эмиссии. Термокатоды.

           Тема 5.2. Вакуумные диоды.

Студент должен знать устройство и принцип работы, виды и основные параметры вакуумных диодов.

Студент должен уметь выбирать из справочной литературы вакуумные диоды и определять их параметры.

       Виды конструкций вакуумных диодов, цепи включения, напряжения, токи. Односторонняя проводимость. Анодные характеристики, их параметры. Мощность рассеяния на аноде, собственная емкость. Пример работы в схеме вакуумных диодов.

           Тема 5.3. Вакуумные триоды.

Студент должен знать устройство и принцип работы, виды и основные параметры вакуумных триодов.

Студент должен уметь выбирать из справочной литературы вакуумные триоды и определять их параметры.

        Вакуумный триод: устройство, цепи включения, принцип работы, токи, напряжения, статические характеристики и параметры. Работа триода в динамическом режиме: схема включения, уравнения напряжений, временные диаграммы. Построение нагрузочных характеристик, определение по ним рабочего участка, формы и величины тока и напряжения сигнала. Схема замещения, динамические параметры. Собственные емкости в триоде. Особенности триодов для работы на ВЧ и СВЧ. Особенности генераторных ламп.

                       Тема 5.4. Многосеточные лампы.

Студент должен знать устройство и принцип работы, виды и основные параметры многосеточных ламп.

Студент должен уметь выбирать из справочной литературы многосеточные лампы и определять их параметры.

       Тетрод: назначение второй сетки, динатронный эффект, характеристики, применение. Лучевой тетрод. Пентод: назначение третьей сетки, характеристика, параметры. Виды пентодов: низкочастотные, высокочастотные, широкополосные, их применение. Частотопреобразовательные лампы, принцип их действия, основные параметры. Виды комбинированных ламп, их применение. Электронно-световой индикатор.

    Тема 5.5. Электронно-лучевые приборы.

Студент должен знать устройство и принцип работы, виды и основные параметры электронно-лучевых приборов.

Студент должен уметь выбирать из справочной литературы электронно-лучевые приборы и определять их параметры.

         Определение и назначение электронно-лучевых трубок, их обозначение и маркировка, основные элементы: электронный прожектор, отклоняющая система, экран. Электронно-лучевая трубка с электростатическим управлением луча: устройство, назначение электродов, их работа. Регулировка яркости и фокусировка луча, его отклонение , чувствительность. Получение изображения на экране осциллографа. Электронно-лучевая трубка с электромагнитным управлением: устройство, назначение элементов, фокусировка и отклонение луча, чувствительность. Получение изображения на экране кинескопа. Получение цветного изображения. Разновидности электронно-лучевых трубок: трубки с радиальной разверткой, знакопечатающие трубки.

    Тема 5.6. Электронные приборы СВЧ.

Студент должен знать устройство и принцип работы, виды и основные параметры электронных приборов СВЧ.

Студент должен уметь выбирать из справочной литературы электронные приборы СВЧ  и определять их параметры.

   Генераторные и модуляторные лампы: устройство, назначение электродов, обозначения, маркировка, применение.

Перечень лабораторных работ

Примерный перечень лабораторного оборудования для выполнения лабораторных работ по ЭП.

Вопросы для получения зачета

1. Общие сведения о полупроводниковых приборах.
2. Примесные полупроводники.
3. Образование p-n перехода.
4. Прямое, обратное включение p-n перехода.
5. Принцип работы выпрямительного диода.
6. Принцип работы кремниевого стабилитрона.
7. Принцип работы туннельного диода.
8. Общие сведения о биполярном транзисторе.
9. Схема включения биполярного транзистора с ОБ, ОЭ, ОК.
10. Частотные свойства транзистора.
11. Принцип работы полевых транзисторов.
12. Принцип работы тиристоров.
13. Принцип работы светодиодов.
14. Принцип работы фотоприборов.
15. Общие сведения об оптоэлектронных приборах.
16. Принцип работы лазера.
17. Общая характеристика полупроводниковых ИМС.
18. Буквенно-цифровые индикаторы.
19. Достоинства и недостатки вакуумных электронных приборов в сравнении с полупроводниковыми приборами.
20. Устройство и работа вакуумных ламп.
21. Устройство и работа электронно-лучевых трубок, кинескопов.

Примерный перечень контрольных работ

Перечень экзаменационных вопросов

1. Общие сведения о биполярном транзисторе: устройство, обозначение, маркировка. Режимы работы: активный, интенсивный, отсечки, насыщения.
2. Классификация вакуумных электронных приборов, достоинства и недостатки по сравнению с полупроводниковыми приборами. Обозначение, маркировка, виды эмиссии.
3. Импульсный диод: особенности прохождения импульсного сигнала через р-n переход, параметры.
4. Буквенно-цифровые индикаторы: устройства, сборка, разновидности, параметры, применение; одноразрядные, многоразрядные модификации.
5. Инверсный режим транзистора: особенности характеристик и параметров, применение; основные виды транзисторов: сплавные, диффузионные, меза- транзисторы, новые виды транзисторов.
6. Разновидности электронно- лучевых трубок: трубки с радиальной разверткой, знакопечатающие трубки. Генераторные и модулированные лампы.
7. Уровень Ферми. Вырожденный полупроводник . Скомпенсированный полупроводник.
8. Оптоэлектронные приборы: резисторные, достоинства, недостатки, принцип действия, устройство, маркировка, применение.
9. Контакт металл-полупроводник, невыпрямляющий (омический) контакт, граница полупроводник- диэлектрик.
10. Транзистор n-p-n типа: структура, топология, характеристики, параметры.
11. Принцип работы в активном режиме для p-n-p и n-p-n транзисторов; напряжения, диаграммы, токи.
12. Вакуумные диоды: конструкция, цепи включения, напряжения, токи, односторонняя проводимость, характеристики, параметры, пример работы в схеме.
13. Схема включения транзистора с общей базой: напряжения, токи, коэффициент усиления, статические характеристики.
14. Вакуумные триоды: устройство, цепи включения, принцип работы, токи, напряжения, характеристики, параметры, динамический режим работы.
15. Схема включения транзистора с общим эмиттером, коэффициенты усиления, статические характеристики.
16. Построение нагрузочных характеристик триода, схема замещения, собственные емкости, особенности работы.
17. Схема включения транзистора с общим коллектором, коэффициент усиления, статические характеристики.
18. Тетрод: назначение второй сетки, динатронный эффект, характеристики, применения. Лучевой тетрод.
19. Транзистор, как активный четырехполюсник, система z,y,h- параметров.
20. Пентод: назначение третьей сетки, характеристики, параметры. Виды пентодов и их применение.
21. Схемы замещения транзистора в различных схемах включения, их внутренне параметры и связь и с параметрами z, y, h.
22. Частотопреобразовательные лампы: принцип действия, основные параметры.
23. Выпрямительные  (низкочастотные) и детекторные (высокочастотные) диоды: применение, основные свойства, характеристики, параметры, пример работы в схеме.
24. Интегральные стабилитроны. Полевой транзистор с управляющим p-n переходом: структура, топология.
25. Виды полупроводниковых приборов: классификация, обозначение в схеме, маркировка; типы конструкций p-n переходов: плоскостная, точечная.
26. Транзистор p-n типа, интегральные диоды, варианты диодного включения транзистора.
27. Виды пробоев, их особенности. Барьерная и диффузионная емкости.
28. Методы изоляции элементов: изоляция p-n переходом, изоляция диэлектриком, комбинированные способы изоляции.
29. ВАХ p-n перехода, влияние на нее температуры.
30. Общая характеристика полупроводниковых ИМС.
31. Прямое и обратное включение p-n перехода, инжекция и экстракция носителей зарядов.
32. Полупроводниковые лазеры. Свойства лазерного излучения. Основные типы лазеров, область применения лазеров.
33. Варикап: основное свойство, характеристика, параметры, применение, пример работы в схеме.
34. Полупроводниковые конденсаторы: диффузионные, МОП- конденсаторы; структура, топология, параметры.
35. Туннельный диод: туннельный пробой p-n перехода, ВАХ, параметры, обозначение в схеме. Обращенный диод.
36. МДП- резисторы, диффузионные, ионнолегированные резисторы. Структура, топология, значение сопротивлений.
37. Кремниевый стабилитрон: применение, конструкция, обозначение, маркировка, характеристика, параметры, пример работы в схеме. Стабистор.
38. ИМС на КМОП и КМДП- транзисторах и их особенности.
39. Контакт полупроводник- полупроводник: образование p-n перехода, его равновесное состояние.
40. Тиристорные оптроны и другие виды оптоэлектронных приборов: принцип действия, маркировка, применение.
41. Движение зарядов в полупроводнике: дрейфовый, диффузионный ток.
42. Диодные, транзисторные оптроны: принцип действия, устройство, маркировка, применение.
43. Предельные режимы работы транзистора. Сравнительный анализ работы транзистора в активном режиме в схемах включения: с ОБ, ОЭ, ОК.
44. Электронно- лучевая трубка с электромагнитным управлением: устройство, назначение элементов, фокусировка, отклонение луча, чувствительность.
45. Ключевой режим транзистора: получение режима отсечки и режима насыщения, сопротивления, токи, напряжения и параметры транзистора в этих режимах. Достоинства и недостатки ключей на транзисторах с ОБ, ОЭ, ОК.
46. Получение изображения на экране кинескопа. Получение цветного изображения.
47. Примесный полупроводник p- типа, генерация, рекомбинация, акцепторная примесь.
48. Общие сведения о светодиодах, принцип действия светодиода, устройство, маркировка, характеристики, параметры, применение. Пример работы в схеме.
49.  Примесный полупроводник n- типа, генерация, рекомбинация, донорная примесь.
50.  Фототранзисторы: принцип работы, характеристики, параметры, обозначение. Пример использования в схеме.
51. Время жизни зарядов. Подвижность носителей зарядов.
52. Фотодиоды: принцип работы, характеристики, параметры, обозначения. Пример использования в схеме.
53. Собственны полупроводник, генерация и рекомбинация носителей зарядов, их концентрация.
54. Фоторезисторы: принцип работы, характеристики, параметры, обозначение в схемах. Пример использования в схеме.
55. Особенности структуры кристаллической решетки полупроводника, ее дефекты, дислокации, их влияние на свойства полупроводника.
56. Фотоприборы: оптические свойства полупроводников, поглощение света, фоторезистивный эффект, ЭДС. Дембера, люминисценция.
57. Металлы, полупроводники и диэлектрики с точки зрения зонной теории. Движение зарядов в электрическом поле.
58. Тринистор: особенности работы, характеристики, обозначение в схеме.
59. Цели, задачи и содержание дисциплины, ее связь с другими дисциплинами. Общие сведения о полупроводниковых приборах.
60. Однопереходные транзисторы: структура, принцип действия, характеристика, параметры, обозначения в схеме, маркировка. Пример использования в схеме.
61. Краткие сведения развития элементной базы радиоэлектронной аппаратуры. Современные достижения электроники в России и за рубежом.
62. Лавинные транзисторы: структура, принцип действия, характеристика, параметры, обозначения в схеме, маркировка. Примеры использования в схеме.
63. Физические основы полупроводниковых приборов: строение атома, энергентические уровни и зоны, основные положения зонной теории.
64. Динистор: структура, принцип действия, характеристика, параметры, обозначение в схеме, маркировка. Пример использования в схеме.
65. Динамический режим работы транзистора, динамические, нагрузочные характеристики, методика их построения, динамические параметры.
66. Виды комбинированных ламп, применение. Электронно световой индикатор.
67. Влияние температуры на работу транзистора, принцип термостабилезации.
68. Определение и назначение электронно- лучевых трубок. Обозначение, маркировка, основные элементы: электронный прожектор, отклоняющая система, экран.
69. Частотные свойства транзистора, частотные параметры. Собственные шумы транзистора.
70. Электронно- лучевая трубка с электростатическим управлением луча: устройство, назначение, электродов, их работа, регулировка яркости.      
                                                 

Перечень самостоятельных работ

ОСНОВНАЯ ЛИТЕРАТУРА

1. В.В. Пасынков, Л.Чиркин «Полупроводниковые приборы», издательство «Лось» 2003г.
2. Шустов М.А. «Полупроводниковые приборы и их изменение» книга 5, издательство «Альтекс» 2004г.
3. Акимов А.И., Нефедов А.В. «Отечественные приборы» 4-е издание, издательство «Солон» 2004г.

ДОПОЛНИТЕЛЬНАЯ ЛИТЕРАТУРА

1.  Ю.А.Овечкин «Полупроводниковые приборы», М., «Высшая школа», 1979 г.
2. Ю.А.Овечкин «Микроэлектроника», М., «Радио и связь», 1972г.
3. Л.Н.Бочаров «Электронные приборы», М., «Энергия», 1979 г.