Презентации к урокам 10 кл
Презентации к урокам, 10 кл
Скачать:
| Вложение | Размер |
|---|---|
 poluprovodniki_diod_tranzistor.ppt | 1.45 МБ |
| diod.pptx | 2.22 МБ |
| izoprotsessy.pptx | 140.06 КБ |
| statika_prezentatsiya.pptx | 1.64 МБ |
Предварительный просмотр:
Подписи к слайдам:
ВОПРОСЫ: Классификация веществ по проводимости Собственная проводимость полупроводников Примесная проводимость полупроводников p – n переход и его свойства Полупроводниковый диод и его применение
Классификация веществ по проводимости Вопрос 1
Классификация веществ по проводимости Разные вещества имеют различные электрические свойства, однако по электрической проводимости их можно разделить на 3 основные группы: Электрические свойства веществ Проводники Полупроводники Диэлектрики Хорошо проводят электрический ток К ним относятся металлы, электролиты, плазма … Наиболее используемые проводники – Au , Ag, Cu, Al, Fe … Практически не проводят электрический ток К ним относятся пластмассы, резина, стекло, фарфор, сухое дерево, бумага … Занимают по проводимости промежуточное положение между проводниками и диэлектриками Si, Ge, Se, In, As
Классификация веществ по проводимости Вспомним, что проводимость веществ обусловлена наличием в них свободных заряженных частиц Например, в металлах это свободные электроны - - - - - - - - - - Вспомните и объясните характер проводимости металлов и его зависимость от температуры
Собственная проводимость полупроводников Вопрос 2
Собственная проводимость полупроводников Рассмотрим проводимость полупроводников на основе кремния Si Si Si Si Si Si - - - - - - - - Кремний – 4 валентный химический элемент. Каждый атом имеет во внешнем электронном слое по 4 электрона , которые используются для образования парноэлектронных (ковалентных) связей с 4 соседними атомами При обычных условиях (невысоких температурах) в полупроводниках отсутствуют свободные заряженные частицы, поэтому полупроводник не проводит электрический ток
Собственная проводимость полупроводников Рассмотрим изменения в полупроводнике при увеличении температуры Si Si Si Si Si - - - - - - + свободный электрон дырка + + При увеличении температуры энергия электронов увеличивается и некоторые из них покидают связи, становясь свободными электронами . На их месте остаются некомпенсированные электрические заряды (виртуальные заряженные частицы), называемые дырками Под воздействием электрического поля электроны и дырки начинают упорядоченное (встречное) движение, образуя электрический ток - -
Собственная проводимость полупроводников Таким образом , электрический ток в полупроводниках представляет собой упорядоченное движение свободных электронов и положительных виртуальных частиц - дырок При увеличении температуры растет число свободных носителей заряда, проводимость полупроводников растет , сопротивление уменьшается R (Ом) t ( 0 C) R 0 металл полупроводник Объясните графики зависимости сопротивления металлов и полупроводников от температуры
Примесная проводимость полупроводников Вопрос 3
Собственная проводимость полупроводников явно недостаточна для технического применения полупроводников Поэтому для увеличение проводимости в чистые полупроводники внедряют примеси (легируют) , которые бывают донорные и акцепторные Донорные примеси Si Si As Si Si - - - - - - - При легировании 4 – валентного кремния Si 5 – валентным мышьяком As , один из 5 электронов мышьяка становится свободным Таким образом изменяя концентрацию мышьяка, можно в широких пределах изменять проводимость кремния Такой полупроводник называется полупроводником n – типа , основными носителями заряда являются электроны , а примесь мышьяка, дающая свободные электроны, называется донорной Примесная проводимость полупроводников - -
Примесная проводимость полупроводников Акцепторные примеси Если кремний легировать трехвалентным индием , то для образования связей с кремнием у индия не хватает одного электрона, т.е. образуется дырка Si Si In Si Si - - - - - + Изменяя концентрацию индия, можно в широких пределах изменять проводимость кремния, создавая полупроводник с заданными электрическими свойствами Такой полупроводник называется полупроводником p – типа , основными носителями заряда являются дырки , а примесь индия, дающая дырки, называется акцепторной - -
Примесная проводимость полупроводников Итак, существует 2 типа полупроводников, имеющих большое практическое применение: р - типа n - типа Основные носители заряда - дырки Основные носители заряда - электроны + - Помимо основных носителей в полупроводнике существует очень малое число неосновных носителей заряда ( в полупроводнике p – типа это электроны, а в полупроводнике n – типа это дырки), количество которых растет при увеличении температуры Объясните, как изменяется количество неосновных носителей заряда в примесном полупроводнике при увеличении температуры
p – n переход и его электрические свойства Вопрос 4
На границе полупроводников образуется двойной электрический слой, электрическое поле которого препятствует процессу диффузии электронов и дырок навстречу друг другу.
p – n переход и его свойства Рассмотрим электрический контакт двух полупроводников p и n типа, называемый p – n переходом + _ 1. Прямое включение + + + + - - - - Ток через p – n переход осуществляется основными носителями заряда (дырки двигаются вправо, электроны – влево) . р n
p – n переход и его свойства + _ 2. Обратное включение + + + + - - - - Основные носители заряда не проходят через p – n переход р n Запирающий слой
p – n переход и его свойства Итак, основное свойство p – n перехода заключается в его односторонней проводимости Вольт – амперная характеристика p – n перехода I (A) U ( В)
Полупроводниковый диод Вопрос 5
Полупроводниковый диод и его применение Полупроводниковый диод – это p – n переход, заключенный в корпус Обозначение полупроводникового диода на схемах Вольт – амперная характеристика полупроводникового диода I (A) U ( В) Основное свойство диода – его односторонняя электрическая проводимость
Полупроводниковый диод и его применение Применение полупроводниковых диодов Выпрямление переменного тока Детектирование электрических сигналов Стабилизация тока и напряжения Передача и прием сигналов Прочие применения
транзистор Вопрос 5
Пластинку транзистора называют базой (Б), одну из областей с противоположным типом проводимости – коллектором (К), а вторую – эмиттером (Э). Обычно объем коллектора превышает объем эмиттера.
В условных обозначениях разных структур стрелка эмиттера показывает направление тока через транзистор.
Включение в цепь транзистора p – n – p -структуры Переход «эмиттер–база» включается в прямом (пропускном) направлении (цепь эмиттера), а переход «коллектор–база» – в запирающем направлении (цепь коллектора).
Предварительный просмотр:
Подписи к слайдам:
Электрический ток в вакууме Электронный пучок – поток электронов, длина которого много больше его ширины.
Свойства электронных пучков
Вакуумный диод Вакуумный диод - прибор, созданный на основе явления термоэлектронной эмиссии
Вольт-амперная характеристика диода Почему с ростом напряжения ток растет? Увеличится ли ток насыщения, если увеличить степень накала катода? Почему при изменении полярности полюсов источника тока ток исчезает? Каково основное свойство диода?
Электронно-лучевая трубка
Электронно-лучевая трубка ЭЛТ состоит из электронной пушки, горизонтальных и вертикальных отклоняющих пластин-электродов и экрана. В электронной пушке электроны, испускаемые катодом , проходят через управляющий электрод-сетку и ускоряются анодами. Электронная пушка фокусирует электронный пучок в точку и изменяет яркость свечения на экране. Отклоняющие горизонтальные и вертикальные пластины позволяют перемещать электронный пучок на экране в любую точку экрана. Экран трубки покрыт люминофором, который начинает светиться при бомбардировке его электронами.
Электронно-лучевая трубка
Электронно-лучевая трубка
Предварительный просмотр:
Подписи к слайдам:
Газовые законы - Количественные зависимости между двумя параметрами газа одной и той же массы при неизменном значении третьего параметра называют газовыми законами
Законы идеальных газов Закон Бойля-Мариотта Закон Гей-Люссака Закон Шарля
Процессы, протекающие при неизменном значении одного из макроскопических параметров , называются изопроцессами
Процесс изменения состояния термодинамической системы при постоянной температуре называют изотермическим
Закон Бойля-Мариотта Закон Бо́йля — Марио́тта — открытый в 1660 году Робертом Бойлем и независимо переоткрытый Эдмом Мариоттом в 1676 году. Закон Бойля — Мариотта гласит : При постоянной температуре и массе идеального газа произведение его давления и объема постоянно. pV = const , где p — давление газа; V — объём газа .
Графическое описание закона Т 1 < Т 2 < Т 3 Т 3
Процесс изменения состояния термодинамической системы при постоянном давлении называют изобарным. Масса газа не измена.
Закон Гей-Люссака Закон Гей-Люссака — впервые опубликовавшего его в 1802 году. Уравнение : Где α – температурный коэффициент объемного расширения .
Графическое описание закона р 1 < р 2 < р 3
Процесс изменения состояния термодинамической системы при постоянном объеме называют изохорным
Закон Шарля Закон Шарля : Давление данной массы газа при постоянном объеме прямо пропорционально абсолютной температуре. Из закона Шарля следует, что отношение давлений данной массы газа при постоянном объеме равно отношению его абсолютных температур :
Графическое описание закона V 1 < V 2 < V 3
Предварительный просмотр:
Подписи к слайдам:
Первое условие равновесия твёрдого тела
Момент силы Плечо силы -… Момент силы , вращающий тело против часовой стрелки , считают … , по часовой стрелке - … .
М1+М2+М3+…=0 Второе условие равновесия
На шероховатой наклонной плоскости длиной 2,8 м и высотой 1,2 м стоит однородный цилиндр высотой 0,7 м. Цилиндр не скользит. Определите минимальный радиус цилиндра при котором он будет опрокидываться .
Справились!