Презентация на тему «Архитектуры компьютеров второго и третьего поколения»
презентация к уроку по информатике и икт (10 класс)

Слайд 1

ГБОУ СОШ «Центр образования» посёлка Варламово Тема: «Архитектуры компьютеров второго и третьего поколения» Подготовила: учитель «Информатики» Игошкина Юлия Викторовна 2023 год

Слайд 2

Содержание Второе поколение ЭВМ Третье поколение ЭВМ Используемая литература

Слайд 3

Второе поколение ЭВМ В ЭВМ первого поколения использовались электронные лампы, имеющие очень низкую надежность, поэтому переход на новую элементную базу был неизбежен. Новой элементной базой стал полупроводниковый транзистор (триод). Принцип работы был схож с электронными лампами, но надежность и размер уменьшились во много раз.

Слайд 4

Первый действующий транзистор был биполярным, и создали его в 1947 году ведущие специалисты Уильям Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн из фирмы «Bell Labs». Официальная демонстрация устройства состоялась 23 декабря 1947 года, и именно эта дата считается официальным днем изобретения транзистора. Первый биполярный транзистор представлял собой прибор, в котором два металлических контакта соединялись с бруском из поликристаллического германия.

Слайд 5

На схеме: УВв – устройство ввода; УВыв – устройство вывода; ОЗУ – одно или несколько оперативных запоминающих устройств; АЛУ - одно или несколько арифметико-логических устройств; УУ - одно или несколько устройств управления; ВЗУ – внешнее запоминающее устройство.

Слайд 6

Третье поколение ЭВМ Бурно развивающаяся космическая и авиационная техника требовала увеличить надежность и сильнее уменьшить размеры ЭВМ. У второго поколения ЭВМ была выбрана новая элементная база, но конструкция принципиально не отличалась. И новый прорыв сделала технология интегральных систем. Она выполнила большинство возложенных на нее задач. С её создания считается переход на третье поколение ЭВМ.

Слайд 7

В мае 1958 года Джек Килби устроился на работу в Texas Instruments. Команда, в которой работал Джек Килби, получила задание проработать варианты создания альтернативных микромодулей. Килби, обдумывая задачу, пришел к выводу, что резисторы и конденсаторы можно сделать из того же материала, что и активные элементы, и разместить их в едином монолитном блоке из того же материала. Так 24 июля 1958г. родилась идея практической реализации интегральной схемы. Изложив свои идеи начальству, Джек получил задание создать опытный образец. Тогда была построена схема триггера из дискретных германиевых элементов Параллельно с Джеком Килби разработкой интегральной микросхемы занимался Роберт Нойс. Роберту крайне не нравилась технология производства дискретных элементов. Он говорил, что довольно бессмысленным выглядит трудоемкий процесс нарезаний пластины кремния на отдельные элементы, а затем соединение их в единую схему. Нойс предложил изолировать отдельные транзисторы в кристалле друг от друга обратно смещенными p-n-переходами, а поверхность покрывать изолирующим окислом. Контакт между отдельными элементами осуществлялся через вытравленные в изолирующем окисле по специальному шаблону участки на поверхности микросхемы. Эти участки соединялись между собой тонкими линиями из алюминия.

Слайд 8

Большое разнообразие периферийных устройств, их сравнительно большое быстродействие, необходимость отделить операции ввода-вывода от вычислительного процесса привело к созданию специализированного контроллера мультиплексного канала (КМК), позволившего процессорам работать параллельно с вводом-выводом данных.

Слайд 9

На схеме: УВВ – устройство ввода-вывода; ОЗУ – одно или несколько оперативных запоминающих устройств; АЛУ - одно или несколько арифметико-логических устройств; УУ - одно или несколько устройств управления; МК - контроллер мультиплексного канала (канала для подключения медленных устройств); СК - контроллер селекторного канала (канала для подключения высокоскоростных устройств); ВЗУ – внешнее запоминающее устройство.

Слайд 10

Используемая литература Сайты: http://all-ht.ru/inf/history/p_4_0.html http://all-ht.ru/inf/history/p_5_0.html